第四百九十五章 晶体管研制成功
第四百九十五章 晶体管研制成功 (第3/3页)
是三天前送上去的，他这种后方科研机构的文件，要排在军队的情报的后面，所以，等了几天，才被汇报上去。
当得知希瑞克来了的时候，他就无比的兴奋，看着希瑞克下车，他已经掩饰不住自己的激动：“伟大的元首，您真是个天才，我们按照您的设想，成功地制造了新的电子元件，这是一个伟大的发明！”
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
此时的Hollmann博士，喋喋不休地向着希瑞克诉说着：“我们按照您的设计方案，进行了很多次的尝试，最初都失败了，我们意识到了是自己的半导体材料的纯度不够，我们采用了新的真空冶炼设备，终于可以提纯足够高的锗，然后，实现了这个伟大的发明！”
半导体，最重要的就是材料的纯度，只有在真空中冶炼，才能够提纯。
这当然离不开高额的投资，否则，没有一个科研所有这种实力。
希瑞克点点头：“锗晶体管可以进行工业化生产，不断地提高技术，就可以降低成本，同时，硅半导体的晶体管，也要进行研制。”
现在，成本很高，但是希瑞克相信，很快就会降下来了，只要听说过摩尔定律，就知道电子产品的更新换代的速度了。
半导体材料有数种，但是适合做晶体管的，却只有两种，尤其是硅，集成电路，完全就是在硅片上做的。
“我们经过了研究，如果雷达大量采用晶体管的话，可靠性会提高一百倍左右。” Hollmann博士将一个制好的晶体管，拿给希瑞克看，摆在手里，和花生豆差不多大小。
没有灯丝，没有栅极什么的，任何震动都不会影响到这种电子元件的工作，它的可靠性相当高。
（又犯错了，唠叨了一章，作为物理老师，真的很佩服晶体管的大门，现在大家用手机看书，都得感谢当初的晶体管之父啊！）