第九十七章 国产半导体
第九十七章 国产半导体 (第3/3页)
cd全称是critical dimension
“其中11年 intel首先将finfet技术引入22 nm节点。”
“22nm要求 44nm的光刻hp cd。这个要求在实际工艺中很难实现，太接近38nm极限值了。”
“所以intel率先使用double patterning技术。这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模(mask)上。分两次曝光实现。”
“同理，self-aligned的技术也被引入，三次曝光，四次曝光都成为了可能。”
程钢听得满脸问号，内心对young在半导体领域的造诣之深感到震惊。
五十岁的人了对前沿技术信手拈来，能做成idg的合伙人果然都是狠人。
他没有打断young，因为他对这方面也很感兴趣。
“所以就光刻技术而言，分辨率并不是大问题。尤其在self-aligned技术中。deposition淀积可以实现非常好的精度控制，特别是ald，能实现 atom on atom的精确控制。”
“既然光刻图案需要被分解到多个mask上，芯片的图案自然不能由着芯片ic设计师随意画了，得遵循光刻的规则。”
“花为海思部门有在申海的，有在鹏城的。没一家在弯弯。”
“而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。tsmc不可能透露给客户的。海思只能把逻辑设计交给台积电，台积电再进行制造的优化。”
“海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。这也是为什么业界一直认为长期竞争中，intel与三星优势的原因。”
“三星很早就把三次，甚至四次曝光（self-aligned）技术引入了nand flash生产。”
“因此当台积电还在22 nm时，三星就开始宣传我们已经有14 甚至 10 nm技术了。大概是13年的时候。”
“三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。台积电嘴巴上当然不能输。悄悄的放宽了node cd的定义，也把自己技术从22 nm吹到了14nm。”
“这种夸大也延续到了现在，实际上三星跟台积电的7nm只比intel的14nm强一点，强的有限。”