第67章 参观晶圆厂流水线（中）
第67章 参观晶圆厂流水线（中） (第1/3页)
这一步显然需要改进，更加自动化的生产线大多都是通过轨道自动运输晶圆，在稳定性和安全性上无疑就是大大超越了人工运输。
“这一步的良品率大概在多少？”王向中靠近牛玉鹏，贴着对方的耳朵问道。
“这个得问质量部门，我一个行政，也不太清楚这些事情。”牛玉鹏也是摊开了手，显得有些无奈。
王向中也没办法，只得点了点头，毕竟牛玉鹏现在不过是个办公室主任，不知道生产上的详细数据倒也很正常。
但显然这一步肯定还是有些许问题的，只要拿到数据，说不定就可以得出一些结论来。不过考虑到成本，只要对工作人员进行更多的培训，也许可以在这个环节上减缓一些损失。
接下来是打磨倒角工艺，在这一环上，需要将每张晶圆打磨至775微米左右的厚度，也就是约0.7毫米左右的厚度，还要特意在晶圆背面做背损伤，以方便后续流程进行杂质的沉积。
而倒角则是要将晶圆边缘侧面进行打磨，将直角面打磨成弧面，以防止在之后的光刻胶喷涂工序和外延生长工序时，不会因为离心力过大而导致晶圆边缘出现沉积现象。
再接下来就是化学刻蚀和CMP（Chemical-Mechanical Polishing，化学机械抛光）步骤，这两道工序的目的相同，首先使用硝酸和氢氟酸对晶圆表面进行清洗，保证去除切割所带来的杂质，接着将硅片安装在特定旋转的抛光的仪器上，稍稍打薄个5微米左右的厚度，保证尽可能平整晶圆表面，将起伏控制在50nm以下。
最终，再用超纯水去除晶圆表面所残留的研磨液和抛光垫残留杂质，保证表面残留颗粒不大于100nm，即可得到单晶衬底，也就是基片，最终送往下一步光刻步骤。
这几个步骤所用的机器都是进口的，也没有人工参与，因此王向中也暂时还没有发现什么问题。
“接下来就要到光刻工序啦，”牛玉鹏笑道，“接下来的东西太专业，我也不知道该怎么讲了，所以就邀请我们的总经理，左为民厂长来给大家进行讲解。”
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