第一百三十一章 光刻机技术路线
第一百三十一章 光刻机技术路线 (第3/3页)
实际上工业界没有谁采用ArF，无论是尼康还是佳能，他们都一直在KrF上投入研发经费。
我想知道为什么前辈你这么看好ArF。”
ArF和KrF是光刻技术中使用到的深紫外光源，目前主流厂商采用的全部都是KrF。
ASML和台积电合作，在林本坚的带领下，最早开始大规模往ArF方向投入，这也是后续ASML实现技术垄断的关键因素之一。
说到这里就多说两句，大家都知道光刻机是半导体制程中的关键设备，用于将设计图案转移到晶圆上。
但是具体光刻机是怎么作业的，很多人并不是那么清楚。简单来说先在晶圆表面涂上一层光敏性的光刻胶，这种光刻胶会在紫外光照射下发生化学反应，然后改变它的溶解性。
国内光刻机被卡脖子，光刻胶同样被卡脖子。
然后使用光掩膜，一个上面有着细微图案的透明载体，细微图案代表了集成电路中的不同元件和互连。光掩膜被放置在光刻机的光源和硅晶圆之间。
光刻机中的光源（KrF或者ArF）照射到光掩膜上。
光通过图案的开放区域，被阻挡的部分与图案相对应。
然后，光通过投影光学系统，该系统将图案缩放并聚焦到硅晶圆上涂有光刻胶的表面。
经过曝光后，光刻胶中的光敏材料发生化学变化。
在阳性光刻胶中，曝光区域变得更容易溶解；在阴性光刻胶中，曝光区域变得更不容易溶解。
将硅晶圆浸入显影液中，溶解掉光刻胶中发生化学变化的区域。这样，光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。
光刻胶图案形成后，通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。
在没有线上百科，不对，现在已经有Quora百科了，总之能够准确说出ArF和KrF证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。
毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有ArF这条技术路线。
林本坚说：“ArF的波长是193nm，而KrF光源的波长是248nm，较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”
周新问：“但是ArF他在具体处理更小的制程节点的时候，会出现更多的线性波动和不规则性。
虽然ArF波长更短，但是它的不可控性更高。
这对于工业化生产来说是大忌。这才是为什么尼康也好，ASML也好，在尝试过ArF之后，都不愿意继续朝着这个方向投入研发成本的最重要原因吧。”
周新话音刚落，林本坚脸色大变，周新知道ArF和KrF，这他能理解。
因为这些都是发表在公开期刊上的内容，但凡对光刻机感兴趣的人，都有机会阅读到。
但是周新能够准确说出不往ArF方向投入的原因，即便从业人员，都没有办法知道的内容。
这一章的科普性质内容有点多，但是没办法，不说清楚光刻机怎么作业，大家会看的一头雾水。
科普内容一共是400字，也就2起点币，算一下也还好。
(本章完)