第二百二十五章 进击的新芯科技
第二百二十五章 进击的新芯科技 (第2/3页)
渗透的和筛子一样。
关建英说：“因为我们即将推出的第二代Mphone也将采用90nm的工艺，离第一代Mphone已经过去两年时间了，Matrix之所以没有发布新一代Mphone，很大一部分原因是因为芯片性能还没有实现突破。
我们在和IBM、德州仪器、三星这些芯片生产厂商合作的时候，新芯科技的A2系列芯片在流片的时候普遍发现超低K值介电材料会存在漏电流的问题。
所以之前你一和我们说索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术，我就猜到了你们同样会面临这一问题。”
中村心想，原来是我泄露的吗？我只是说了这么含糊的一句，关桑就推测出了这么多东西？
他内心不由得一阵佩服，然后连忙问：“新芯科技遇到了同样的问题，看来关桑是想到了解决方法？”
中村末广显然格外上心，要是PSP的芯片出了问题，那死的第一个就是他。
关建英点头：“新芯科技从两年前开始着手超低K介电材料的应用，目前推出了新一代氧化硅技术可以解决这个问题。
我们把它叫做Black Diamond薄膜，它的有效介电常数会小于3.0，同时采取新芯科技独有的双镶嵌工艺后，可以将电容值降低25%到35%之间。”
这是新芯科技在硅谷的研发中心的成果，准确来说周新在成功卖掉quora之后在硅谷成立了研发中心，有软件层面的研发中心也有半导体领域的研发中心。
其中超低K介电材料就是半导体研发中心过去两年重要研发课题之一，因为周新天然知道超低K介电材料未来在半导体材料中会越来越重要，并且他也大致知道阿美利肯的应用材料公司是如何解决这个问题的。
低k介质在超大规模集成电路中，随着器件集成度的提高和延迟时间进一步减小，需要它作为绝缘材料，以保证器件的高速性能并控制能耗。而随着芯片体积的缩小，对低K介质的要求也越来越高。
这在未来大A的半导体市场研报中叫做半导体前驱体材料中的低K前驱体材料。
有领导性的思想作指引，新芯科技在硅谷的研发中心进展很快，基于90nm制程的black diamond技术已经研发完成了，这一技术说白了就是在氧化硅里掺碳，同时采取双镶嵌工艺可以完美解决低介电质薄膜间以及低介电质薄膜与金属连线间的界面结合问题，使低介电质薄膜间的粘着系数大为提高。
中村连连赞叹：“真是了不起的新芯科技，在这一领域之前一直被应用材料公司所垄断，没想到新芯科技在如此短时间内就能够实现技术上的突破。”
应用材料是半导体领域最重要的原材料和设备公司，是很多上游材料的最大供应商，也是第一家进入华国的芯片设备公司。
中村末广不至于要怀疑关建英话语中的真实性，因为材料领域行就是行，不行就是不行。
关建英既然会提出来，说明他们希望和索尼合作，新芯科技的超低K介质材料也会拿来给索尼试用。
关建英说：“我们硅谷的研发中心有着大量经验丰富的工程师和研发人员，新芯科技不仅在移动芯片设计领域有着足够的经验，在半导体材料、芯片代工上同样有着丰富的经验。
好吧，也许芯片代工的经验有限，我们目前确实做不到生产90nm芯片，但是新芯科技绝对具备设计90nm芯片的能力。”
关建英也没想帮索尼生产芯片，无论是新芯自身还是华国本土的芯片制造厂商，现在都不具备90nm芯片生产能力。
别说华国的芯片生产厂商了，台积电目前都被卡着没有进展呢。
所以关建英只是想帮索尼设计90nm芯片，同时把他们研发出来的超低K介质材料推销给索尼，并且把130nm甚至更低制程的芯片卖给任天堂。
对于关建英来说，这次来霓虹也属于行销了。
中村说：“我需要时间来验证我们制造出来的芯片是否真的存在这样的问题，如果存在，那么我想索尼的晶圆厂不会介意从新芯手里购买
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